采用VGF法生长化合物， 采用石墨电阻加热方式， 生长过程全程保持 在真空环境下， 生长过程中具有很强的挥发性 。
性能优势
采用镜面抛光腔体减少附着，具备高真空与稳定保压能力。温控精度高，实现精密梯度控制。支持全自动工艺管理，参数自动记录生成报告。冷却系统实时监测并自动防护。适配定制坩埚，满足化合物晶体生长需求，兼顾安全性与智能化操作。
| VGF 化合物长晶炉 | |||
| 晶体尺寸 | 270mm | ||
| 工艺 | VGF法 | ||
| 加热方式 | 电阻式 | ||
| 基本参数 | 主机尺寸 | 1400×1400×3600 mm | |
| 整机重量 | 约2T | ||
| 支持系统 | 电 源 | 容 量 | 48kVA/底加20KVA |
| 电 压 | AC380V，3P，50Hz | ||
| 冷 却 水 | 压 力 | 0.35 ~ 0.5MPa | |
| 流 量 | 约150L/min | ||
| 工艺气体 | 压 力 | ＞0.2MPa | |
| 压缩空气 | 压 力 | 0.5 ~ 1.0MPa | |
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