采用感应加热方式，在石英管/不锈钢腔体内以物理气相传输法（PVT）生长高纯SiC晶体。
性能优势
下进料方式，利于实现工厂自动化。
热场旋转，升降式线圈，用于调整温度场。
自主研发异地网络远程监控操作系统，实现长晶过程的全自动控制；
分级权限，便于工艺参数管理；
远程 控制，实现无人值守。
温度、压力控制的稳定性；重复定位的准确性；快速抽空及长时间真空保压。
布局紧凑合理，整机呈框架式结构，将电控箱、加热电源巧妙集成于一体。
电动升降上下料，托盘降至最低位置后可水平移出，电动升降炉盖，省时省力，安全可靠。
配置两路真空系统，高精度用于晶体生长的压力控制，普通精度用于抽真空。
| 6 ~ 8英寸 碳化硅长晶炉 （电阻式） | |||
| 晶体尺寸 | 6 ~ 8英寸 | ||
| 工艺 | PVT | ||
| 加热方式 | 电阻式 | ||
| 基本参数 | 主机尺寸 | W1800xD2700xH4000mm | |
| 整机重量 | 约5T | ||
| 支持系统 | 电 源 | 容 量 | 40kVA |
| 电 压 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | ||
| 冷 却 水 | 压 力 | 0.25~0.5MPa | |
| 流 量 | 200L/min | ||
| 工艺气体 | 压 力 | ＞0.2MPa | |
| 压缩空气 | 压 力 | 0.5~1.0MPa | |
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