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拉晶过程全程自动化
在惰性气体环境中，用石墨加热器将硅材料熔化，
用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势
设备主体结构优化，提高了整机稳定性。
具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。
采用新型隔离阀。
液面高度监控系统。
高精度传动机构。
双层水冷套、可升降双层水冷屏。
如需获取6寸半导体级单晶炉具体数据，请向汉虹销售工程师咨询沟通。
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