拉晶过程全程自动化
在惰性气体环境中，用石墨加热器将硅材料熔化，
用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势
设备主体结构优化，提高了整机稳定性。
具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。
采用新型隔离阀。
液面高度监控系统。
高精度传动机构。
双层水冷套、可升降双层水冷屏。
| 8英寸半导体级单晶炉 | |||
| 型号 | FT-CZ1200Se | ||
| 场所 | 周围温度 | 15~30℃ | |
| 周围湿度 | ≤65%（无结露，腐蚀气体） | ||
| 洁净度 | 10000级净空房 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 电源 | 额定电压 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
| 额定电容 | 320kVA | ||
| 额定流量 | 500A | ||
| 冷却水 | 流量范围 | 350~400L/min | |
| 供给压力 | 0.3~0.4MPa | ||
| 重量 | 设备高度 | ＜8290mm △ | |
| 设备重量 | 约23T | ||
△ 项数据视上炉筒高度而定，本设备数据不含磁场。
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