近日，上海汉虹精密机械有限公司（下文简称上海汉虹）在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求，展现了汉虹出色的设备研发制造能力与工艺控制水平。

上海汉虹作为一家专注于半导体材料晶体生产&加工设备的高新技术企业，多年来深耕于半导体材料相关设备的研究与创新。本次采用的碳化硅长晶炉，采用上进料方式，完全自动化控制，而且通过热场旋转及热场工艺稳定性设计，能够有效调整径向和轴向温度梯度，确保晶体生长过程中温度的均匀性和稳定性。

此外，上海汉虹自主研发的异地网络远程监控操作系统，实现了长晶过程的全自动控制。这套系统具备分级权限管理功能，便于工艺参数的精准控制，并支持远程操作，使得无人值守成为可能，大大提升了生产效率和安全性。

上海汉虹碳化硅炉的性能优势

1、自动化与远程控制：上进料设计便于自动化集成，远程监控系统实现全自动控制。

2、稳定性和精确性：精准的温度、压力控制，确保长晶环境稳定；重复定位准确，快速抽空及长时间真空保压，提升控制精度。

3、人性化设计：布局紧凑合理，电控与电源集成于一体；电动升降上下料及电动炉盖设计，提高效率与安全性。

4、双真空系统：高精度与普通精度真空系统分别用于压力控制与抽真空，保障生长环境纯净。

随着新能源汽车、5G通讯等新兴产业的蓬勃发展，对于高性能碳化硅器件的需求日益增加。然而，长期以来，高品质大尺寸碳化硅晶圆的供应不足一直是制约行业发展的一大瓶颈。上海汉虹此次的成功，为未来碳化硅器件的大规模商业化应用提供了坚实基础。

上海汉虹通过持续的技术创新，在8英寸碳化硅长晶炉的研发制造与生产应用上取得了显著成就。这是上海汉虹发展历程中的一个关键节点，也体现了中国半导体材料设备产业的进步。我们期待与更多合作伙伴一起，共同推动半导体产业的进一步发展。